環(huán)境影響評價師

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(二)工程污染源分析

本次環(huán)境影響評價工程污染源分析的原則和依據是建設單位提交的初步設計， 經評價單位進行物料衡算、類比調查與監(jiān)測得出的。但應該指出的是本次環(huán)境影響評價提出的工程污染源數(shù)據是依據前文提到的工藝路線和產量界定的，但該項目實 質是芯片的代加工廠，所有產品是根據市場的需求進行制作的，產品種類、規(guī)格多 且不固定，原材料會因產品工藝和類型不同而使用非常多的不同種類，且使用時間、使用量具有波動性的特點，因此，污染物的產生、排放量也具有不確定性。

1. 大氣污染源分析

(1) 酸性廢氣酸性廢氣主要來自于擴散區(qū)、離子植入區(qū)、薄膜區(qū)、化學研磨區(qū)及光罩制作區(qū)，包括含氟廢氣、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、硅烷(SiH4)、磷烷(PH3)、 砷烷(AsH3)等所排出之廢氣。

(2) 堿性氣體堿性氣體主要來自擴散區(qū)、薄膜區(qū)及化學研磨區(qū)產生之含氨廢氣排放。

(3) 有機廢氣有機廢氣主要來自于光刻區(qū)、擴散區(qū)的光阻劑及清洗用之異丙醇等有機溶劑廢氣。

(4) VOC使用天然氣燃燒廢氣芯片生產后加工工序會有VOC產生，其處理工藝使用天然氣助燃方式解決。使用天然氣燃燒時NO,的產生量參照北京市環(huán)境保 護科學研究院編制的《北京環(huán)境總體規(guī)劃研究》中確定的排放因子，即燃燒1 000m3 天然氣NO,的排放量為1.76 kg。802的產生量根據天然氣的用量和含硫率求得，即 燃燒1 000 m3天然氣S02的排放量約為5.71 X10—3 kg。

燃燒VOC使用的天然氣100 m3/h,年總用量為864 000 m3/a (一年按360 d, 一 天按24h計)，煙氣排放量為10 644 480m3/a，則本項目FAB VOC使用的天然氣燃 燒產生的大氣污染物排放量為：NO, 1 520.64 kg/a、S02 4.93 kg/a。

(5) 化學品輸送過程中的極微量泄漏管道輸送液體的過程中，在管道接口處有極微量液體泄漏。根據類比數(shù)據，化學材料在運輸過程中，在罐裝、管道等接口 處可能的極微量泄漏約為總量的0.05%。本評價考慮的是使用量較大的氟化氫，年使用量按52 075 kg/a計，泄漏量按最壞情況來考慮，為總量的0.8%計，可得到氟化 氫極微量泄漏約為0.048 kg/h。

2. 水污染源分析

本項目水污染源主要包括生產廢水和生活污水。

根據本項目的生產工藝和廢水水質特征，在生產過程中產生的廢水主要可分為含氟廢水、研磨廢水(分為金屬研磨廢水、氧化研磨廢水、晶背研磨廢水)、酸堿廢水(包括工藝酸堿廢水、洗滌塔廢水、純水系統(tǒng)再生廢水)和含氨廢水。

此外還有純水站濃縮廢水、工藝設備冷卻水、冷凍水和冷卻塔排水，為較清潔 廢水，作為回用水。

廢水處理站主體部分位于CUB2 —層，主要包括含氟廢水處理系統(tǒng)、酸堿廢水 中和處理系統(tǒng)、污泥處理系統(tǒng)、加藥系統(tǒng)、部分廢液收集系統(tǒng)、廢水處理站控制室及部分處理設施的預留位置;另一部分位于生產廠房FAB 4/ FAB 5/ FAB 6C的一樓， 主要包括化學機械研磨廢水、芯片背面研磨廢水收集及輸送設施。

3. 固體廢物

固體廢物產生量及其組分，詳見表2。

表2固體廢物產生量

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（責任編輯：中大編輯）

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